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J-GLOBAL ID:201002296361085670   整理番号:10A1015481

H-Si(111)上の金のエピタキシャル成長: 水素発生の決定的役割

Epitaxial Growth of Gold on H-Si(111): The Determining Role of Hydrogen Evolution
著者 (6件):
資料名:
巻: 11  号: 13  ページ: 2992-3001  発行年: 2010年09月10日 
JST資料番号: W1265A  ISSN: 1439-4235  CODEN: CPCHFT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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酸性溶液中のH-末端Si(111)におけるAuの電気化学的核生成と結晶成長の電位依存性を研究した。3D島状の核はすべての電位で均一に生成された。意外なことに,初めに形成されたAuの3D核は主にIII領域で横方向に成長し,平らな形態で17ML以上の厚さに沈澱した。II領域では3D成長したすべての電位において,島状のAuは(111)配向しており,Si(111)表面格子とエピタクシーになっていた。面内で2つのSi面は180°回転した配向になっているが,II領域におけるこれら2つのSi面の比は等しい。しかしIII領域中のAuは沈澱してエピタクシーが小さくなり,180°回転している反対の島状Auの割合が上がった。この変化は水素発生反応(HER)の始まりと関係があり,原子スケールで説明することができた。これらの結果から,Au/Au移動率は決定的因子であり,HERによって著しく強化されることがわかった。回転した島状Auの核生成が優勢になるのは初期段階における大きなAu/Si界面エネルギーによると考えられる。
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分類 (2件):
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電極過程  ,  金属薄膜 
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