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J-GLOBAL ID：201002296555067789   整理番号：10A0894219

薄膜トランジスタ中のルブレンの誘導結晶化

Induced Crystallization of Rubrene in Thin-Film Transistors

著者 (7件)： LI Zhefeng (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  DU Jun (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  TANG Qin (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  WANG Feng (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  XU Jian-Bin (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  YU Jimmy C. (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  MIAO Qian (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 30  ページ： 3242-3246  発行年： 2010年08月10日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタ用の半導体としてこれまで最大の電界効果移動度(15~40cm²/V・sを示したのはルブレンであるが多結晶ルブレン薄膜を作製するのは困難であった。Si/SiO₂上にオクタデシルホスホン酸2分子層を作製し,その上にテンプレートとして6,13-ペンタセンキノン層(3nm)を設けてからルブレンを物理蒸着すると高密度の小さなドメインからなる層が得られ,0.35cm²/V・sの移動度が得られた。オクタデシルホスホン酸の代りにオクタデシルトリクロロシランを用いた場合およびSi/SiO₂上に直接6,13-ペンタセンキノン層を設けた場合には多結晶ルブレン薄膜は得られなかった。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  芳香族縮合炭化水素 ,  *有機半導体 ,  *多結晶 ,  結晶化 ,  キャリア移動度 ,  鋳型効果
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  電界効果移動度

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： ルブレン ,  オクタデシルホスホン酸 ,  6,13-ペンタセンキノン

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜トランジスタ ,  ルブレン ,  誘導 ,  結晶化