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J-GLOBAL ID：201002296616910212   整理番号：10A0978755

γ線照射前後のバルクSe₉₆Sn₄半導体ガラスの電気的研究

Electrical studies on bulk Se₉₆Sn₄ semiconducting glass before and after gamma irradiation

著者 (4件)： AL-BATI Sameer N. (Materials Sci. Lab., Dep. of Applied Sciences, Prince Abdullah Bin Ghazi Fac. of Sci. and Information Technol. ...) ,  LAFI Omar A. (Materials Sci. Lab., Dep. of Applied Sciences, Prince Abdullah Bin Ghazi Fac. of Sci. and Information Technol. ...) ,  IMRAN Mousa M.A. (Materials Sci. Lab., Dep. of Applied Sciences, Prince Abdullah Bin Ghazi Fac. of Sci. and Information Technol. ...) ,  SHADERMA Moh’d M. (Materials Sci. Lab., Dep. of Applied Sciences, Prince Abdullah Bin Ghazi Fac. of Sci. and Information Technol. ...)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 71  号： 11  ページ： 1534-1539  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メルト急冷手法によりバルクSe₉₆Sn₄カルコゲナイドを調製し,⁶⁰Coガンマ線源を用いて4,8,12,24と33kGyの種々の線量で照射した。温度範囲200-300Kでガンマ線照射前後のI-V特性をこのガラスについて得た。低電場(≦1×10⁴V/m)ではオーミック挙動が観察されたが,一方高電場では非オーミック挙動が観察された。ln(I/V)vs.Vのプロットは直線であることを見出し,これらの線の傾きは温度に対して直線的に減少し,SCLC(空間電荷制限伝導)の存在を示した。測定温度範囲では,DC伝導率の低電場での温度依存性は,2つの型の伝導チャネル,一つは高温範囲270-300Kのチャネルと他は低温範囲200-270Kのチャネルを示した。実験データ解析は,室温での電気伝導率は,照射線量の増加と共に減少することを示す。これはSnSe_4/2構造ユニットの照射による破壊とSe鎖間のSe原子の再構築に起因する。このガンマ線照射により誘起された結合の再分布は活性化エネルギーの対応する増加の原因である。得られた活性化エネルギー値は,局在化状態のバンドテールにおける熱支援電荷キャリアにより伝導が起こることを示す。しかしながら低温範囲においてMotttの範囲可変のホッピング(VRH)モデルから得られた結果から,局在化状態密度は12kGyのガンマ線線量で最大値となり,一方無秩序パラメータT_o,ホッピング距離R_hopとホッピングエネルギーWは,この特定の線量で最小値となることが明らかになった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： γ線照射 ,  *照射損傷 ,  *カルコゲン化物ガラス ,  *セレン化合物 ,  *スズ化合物 ,  放射線量 ,  温度依存性 ,  *電流電圧特性 ,  Ohm接触 ,  *電気伝導率 ,  *非晶質半導体
準シソーラス用語： 線量

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： γ線 ,  バルク ,  ガラス ,  研究