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J-GLOBAL ID：201002296872993605   整理番号：10A0664813

有機金属化学気相成長法で成長させたInAs/GaSbタイプII超格子構造とフォトダイオード

InAs/GaSb type-II superlattice structures and photodiodes grown by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (6件)： HUANG Yong (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., 777 ...) ,  RYOU Jae-hyun (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., 777 ...) ,  DUPUIS Russell D. (Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., 777 ...) ,  PETSCHKE Adam (Micro and Nanotechnology Lab., Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 208 North Wright Street, Urbana, Illinois ...) ,  MANDL Martin (Micro and Nanotechnology Lab., Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 208 North Wright Street, Urbana, Illinois ...) ,  CHUANG Shun-lien (Micro and Nanotechnology Lab., Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 208 North Wright Street, Urbana, Illinois ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 25  ページ： 251107  発行年： 2010年06月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相成長法(MOCVD)により成長させたInAs/GaSbタイプII超格子に基づくエピタキシャル構造とフォトダイオードの特性化と性能を報告する。超格子界面に界面層を導入して引張歪を補償し,超格子構造の全体の材料品質を改善した。InAsSb+InGaSb層による界面層組合せ方式により最適形態と低歪を達成した。この方式を用いて,GaSb構造上に360周期のInAs/GaSb超格子を持つp-i-nフォトダイオード構造を成長させた。このダイオードは78Kで動作し,遮断波長は約8μm,ピーク応答性は約6μmにおいて0.6A/Wである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *MOCVD ,  ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  半導体材料 ,  エピタクシー ,  キャラクタリゼーション ,  *超格子 ,  PINダイオード
準シソーラス用語： 特性化

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学気相成長法 ,  成長 ,  InAs ,  GaSb ,  タイプ ,  超格子構造 ,  フォトダイオード