文献
J-GLOBAL ID:201002296958887395   整理番号:10A0554824

種々のボトム電極のトリフェニルアミンを含むポリイミドメモリの明瞭な電気スイッチング挙動

Distinct electronic switching behaviors of triphenylamine-containing polyimide memories with different bottom electrodes
著者 (7件):
資料名:
巻: 96  号: 21  ページ: 213305  発行年: 2010年05月24日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
メモリデバイス作製用の機能性物質として合成ポリイミド,ポリ[4,4′-ビス(4-メトキシトリフェニルアミン)-3,3′-ビフェニルエネヘキサフルオロ-イソプロピリデンジフタルイミド](MTPA-PI)を設計し,2つの異なる電極物質[インジウムすず酸化物(ITO)あるいはAl]を用いるデバイスにおいて2つの異なるスイッチング挙動を観察した。ITO/MTPA-PI/Alデバイスにおいて,負/正電圧を用いてメモリのオン/オフスイッチが可能で,オン/オフ電流比は約104のオーダーであった。一方Al/MTPA-PI/Alデバイスでは,ITO/MTPA-PI/Alデバイスと比較して,はるかに高い電流比(最大109)を持つ異なるスイッチング挙動を示した。種々のボトム電極をベースにした種々のスイッチングメカニズムも論じた。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電子・磁気・光学記録 
物質索引 (3件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る