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J-GLOBAL ID：201002297012117782   整理番号：10A1324474

n型(111)GaAsの量子井戸におけるスピン緩和

Spin relaxation in n-type (111) GaAs quantum wells

著者 (3件)： SUN B. Y. (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026, CHN) ,  ZHANG P. (Dep. of Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026, CHN) ,  WU M. W. (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale, Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230026, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 9  ページ： 093709  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 運動スピン-Bloch方程式に基づいて,n型(111)GaAsの量子井戸におけるD’yakonov-Perel’機構によって支配されるスピン緩和現象を研究した結果を報告する。(111)GaAsの量子井戸におけるD’yakonov-Perel’項に起因する面内有効磁場は,適当なゲート電圧の下ではDresselhausとRashbaのスピン-軌道相互作用項の打ち消し効果によって,運動量空間内の特別なゼロ点に抑制され得ることが分かった。スピン偏極電子が主にこの特別な領域内に分布する場合,特に偏極方向が量子井戸の成長方向に沿う場合には,面内の不均一拡がりは小さくなり,スピン緩和は抑制され得ることが分かった。この打ち消し効果によって,スピン緩和時間の密度,あるいは温度依存性にピーク(打ち消しピーク)が生み出されるものと予想される。密度(温度)依存性において,打ち消しピークと通常の密度(Coulomb)ピークの間の相互作用がスピン緩和時間の密度(温度)依存性に特徴を生み出すことが分かった。また,スピン緩和の温度依存性における打ち消しピークとCoulombピークに対して異なる寄与を及ぼす不純物効果を明らかにすることができた。更に,スピン偏極方向に関するスピン緩和の異方性も明らかにすることができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  *電子スピン緩和 ,  緩和時間 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  スピン分極 ,  電子スピン ,  Bloch方程式 ,  キャリア密度 ,  温度依存性 ,  異方性
準シソーラス用語： カイネティックスピンBloch方程式

分類 (1件)： 磁性理論  (BM06020X)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  量子井戸 ,  スピン緩和