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J-GLOBAL ID：201002297174609964   整理番号：10A0556296

65nm CMOS技術で作製した2×2 802.11n-MIMO-WLAN-SoCのための集積バルン線形デュアルバンド電力増幅器

Linearized Dual-Band Power Amplifiers With Integrated Baluns in 65nm CMOS for a 2×2 802.11n MIMO WLAN SoC

著者 (5件)： AFSAHI Ali (Broadcom Corp., CA, USA) ,  AFSAHI Ali (Univ. California at San Diego, CA, USA) ,  BEHZAD Arya (Broadcom Corp., CA, USA) ,  MAGOON Vikram (Broadcom Corp., CA, USA) ,  LARSON Lawrence E. (Univ. California at San Diego, CA, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 45  号： 5  ページ： 955-966  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 802.11n MIMO WLAN応用のオンチップバルン完全集積デュアルバンド電力増幅器について述べる。3.3V電圧のもと,この電力増幅器の飽和出力は2.4GHz帯と5GHz帯のそれぞれで28.3dBmと26.7dBmであり,ピークドレイン効率は35.3%と25.3%であった。多重化完全内蔵線形アルゴリズムを用いて,2.4GHz帯に22.4dBm,そして,5GHz帯には20.5dBmで-25dBのEVMを達成し,その間に,54MbsのOFDMを送信できた。このチップは標準65nmCMOS技術の枠内でつくられ,2増幅器の面積は0.31mm²(2.4GHz)と0.27mm²(5GHz)であった。増幅器の信頼性には劣化は観察されなかった。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  アンテナ ,  システムインテグレーション ,  バルン ,  *回路モジュール ,  周波数帯 ,  信頼性 ,  多元接続通信 ,  超LSI ,  電気変換器 ,  *電力増幅器 ,  半導体チップ ,  無線LAN ,  *OFDM
準シソーラス用語： システムオンチップ ,  デュアルバンド ,  リニアライザ

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (10件)： CMOS技術 ,  作製 ,  MIMO ,  WLAN ,  SOC ,  集積 ,  バルン ,  線形 ,  デュアルバンド ,  電力増幅器