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J-GLOBAL ID：201002297386035321   整理番号：10A1068924

レーザーアブレーション法によるFe-Si系半導体薄膜の作製と分析

著者 (5件)： 山本知起 (高知工科大) ,  横田正博 (高知工科大) ,  山川智弘 (高知工科大) ,  岡真由美 (高知工科大) ,  谷脇雅文 (高知工科大)
資料名： 日本金属学会講演概要  (Collected Abstracts of the Meeting of the Japan Institute Metals)
巻： 147th  ページ： 373  発行年： 2010年09月25日 
JST資料番号： S0988A  ISSN： 1342-5730  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  太陽電池 ,  ケイ化物 ,  鉄化合物 ,  *レーザアブレーション ,  *焼なまし ,  構造解析 ,  *再結晶
準シソーラス用語： アニール ,  *ケイ化鉄 ,  レーザアブレーション法 ,  再結晶化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザーアブレーション法 ,  Fe ,  Si ,  半導体薄膜 ,  作製 ,  分析