文献

J-GLOBAL ID：201002297462843351   整理番号：10A0257143

急速熱処理法による水素化アモルファスシリコンの結晶化

Crystallization of hydrogenated amorphous silicon by rapid thermal method

著者 (6件)： JIN Ruimin (Nanyang Inst. Technol., Henan, CHN) ,  JIN Ruimin (Zhengzhou Univ., Henan, CHN) ,  LI Dingzhen (Nanyang Inst. Technol., Henan, CHN) ,  CHEN Lan-Li (Nanyang Inst. Technol., Henan, CHN) ,  GUO Xinfeng (Nanyang Inst. Technol., Henan, CHN) ,  LU Jingxiao (Zhengzhou Univ., Henan, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 428/429  ページ： 444-446  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiH₄,H₂混合物を使って,ガラス基板上にPECVD法を使って前駆体アモルファスシリコン薄膜を作製し,急速熱処理法(RTA)により950°Cで結晶化した。加熱速度は,180°C~200°C/s,処理時間1~30分で行った。熱処理した試料のキャラクタリゼーションは,マイクロRaman散乱およびSEMにより行った。その結果,Raman強度から,950°Cで5分RTA処理した場合,最高の結晶化が得られることが分かった。RTAによって得られた薄膜は,滑らかで,完全結晶であった。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  *結晶化 ,  *RTA【熱処理】 ,  シラン ,  水素 ,  基板 ,  ガラス ,  *プラズマCVD ,  *半導体薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  Raman散乱 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： PECVD ,  SEM【顕微鏡】 ,  急速熱処理 ,  水素化アモルファスシリコン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱処理法 ,  水素化アモルファスシリコン ,  結晶化