電圧で調整可能な室温テラヘルツ源としてのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)

EL FATIMY A.; DYAKONOVA N.; MEZIANI Y.; OTSUJI T.; KNAP W.; VANDENBROUK S.; MADJOUR K.; THERON D.; GAQUIERE C.; POISSON M. A.; DELAGE S.; PRYSTAWKO P.; SKIERBISZEWSKI C.

文献

J-GLOBAL ID：201002297480539600 整理番号：10A0136042

電圧で調整可能な室温テラヘルツ源としてのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)

AlGaN/GaN high electron mobility transistors as a voltage-tunable room temperature terahertz sources

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著者 (13件)：

EL FATIMY A.

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(RIEC, Tohoku Univ., 211 Katahira, Aobaku, Sendai 9808577, JPN)

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巻： 107 号： 2 ページ： 024504 発行年： 2010年01月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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サブミクロン台のAlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)による室温でのテラヘルツ波発生を報告する。放射ピークはゲート電圧により0.75~2.1THz範囲で調整可能である。放射周波数はトランジスタチャンネルのゲート領域の最低基本プラズマモードに対応する。放射は閾値に似た様式で特定のドレインバイアスで現れる。観測した放射を同期した二次元電子ガス中のDyakonov-Shurプラズマ波不安定性の結果として解釈した。(翻訳著者抄録)

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