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J-GLOBAL ID：201002297838437554   整理番号：10A1324517

ヘテロ層状BiFeO₃/ZnO強誘電体薄膜のダイオード状及び抵抗性ヒステリシス挙動

Diodelike and resistive hysteresis behavior of heterolayered BiFeO₃/ZnO ferroelectric thin films

著者 (2件)： WU Jiagang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Fac. of Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117574) ,  WANG John (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Fac. of Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117574)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 9  ページ： 094107  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 軸はずし高周波スパッタリングによりSrRuO₃/Pt(111)/TiO₂/SiO₂/Si(100)基板上にBiFeO₃・ZnO,ZnO/BiFeO₃,BiFeO₃/ZnO/BiFeO₃,及びZnO/BiFeO₃/ZnO薄膜へテロ構造を堆積した。これらのダイオード状及び抵抗ヒステリシス挙動はヘテロ構造中における構成層の組合せ順に依存する。BiFeO₃/ZnO及びZnO/BiFeO₃のいずれでも明らかなダイオード状及び抵抗性ヒステリシス挙動が観測された。この現象は温度の上昇に従いより明らかになる。この挙動はBiFeO₃及びZnO間に形成される界面から生じる。予想したように,このダイオード状及び抵抗性ヒステリシス挙動は二界面が互いに等しい又は反対なBiFeO₃/ZnO/BiFeO₃及びZnO/BiFeO₃/ZnOの場合には弱くなって,殆ど消失する。高電場領域での界面制限Fowler-Nordheimトンネリングがこの抵抗性ヒステリシスの形成に含まれることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *酸化亜鉛 ,  スパッタ蒸着 ,  積層構造 ,  誘電体薄膜 ,  ダイオード ,  *電気抵抗 ,  ヒステリシス ,  界面 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  *ヘテロ接合 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *ビスマスフェライト

分類 (1件)： その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (8件)： 層状 ,  BiFeO3 ,  ZnO ,  強誘電体薄膜 ,  ダイオード ,  抵抗性 ,  ヒステリシス ,  挙動