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J-GLOBAL ID:201002297885949865   整理番号:10A0240718

4属二次元材料の電子及び光学的性質

Electronic and optical properties of group IV two-dimensional materials
著者 (9件):
資料名:
巻: 207  号:ページ: 291-299  発行年: 2010年02月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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今日の表面の理論的研究では,密度汎関数法の枠内で基底状態特性について,励起状態特性についてはGW近似を用いた多体摂動論(MBPT)が実験と一致する結果を得ている。本報では,様々な二次元システムに対してこれらの理論ツールを適用してその有用性を明らかにする。このために種々の物理的状況を代表する,清浄Si(100)(2×1),Sn-Ge界面,グラフェン及びグラファンを採り上げた。Si(100)(2×1)面はその幾何学的構造,電子及び光学特性をレビューし,単一粒子励起エネルギーの記述に多体効果を含めることの重要性を強調した。Sn/Geシステムでは金属-半導体界面の初期段階を調べ,半導体及び金属準位に多体効果が及ぼす影響を明らかにした。最後に真の二次元システムとしてグラフェン及びグファンを検討し,グラファンの水素原子の存在がその電子構造に大きな変化を及ぼすことを明らかにした。
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分類 (2件):
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表面の電子構造  ,  光物性一般 
タイトルに関連する用語 (2件):
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