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J-GLOBAL ID：201002298128220250   整理番号：10A0594724

スピン-軌道相互作用項の人為的相殺によるGaAsワイヤ中の二次元およびバルク電子のスピン脱位相の抑制

Suppressed spin dephasing for two-dimensional and bulk electrons in GaAs wires due to engineered cancellation of spin-orbit interaction terms

著者 (10件)： DENEGA S. Z. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  LAST T. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  LIU J. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  SLACHTER A. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  RIZO P. J. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  VAN LOOSDRECHT P. H. M. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  VAN WEES B. J. (Univ. Groningen, Groningen, NLD) ,  REUTER D. (Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  WIECK A. D. (Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU) ,  VAN DER WAL C. H. (Univ. Groningen, Groningen, NLD)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 15  ページ： 153302.1-153302.4  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  量子細線 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  低次元系 ,  ヘテロ接合 ,  Kerr効果 ,  量子井戸 ,  *デフェージング ,  電子スピン ,  化合物半導体
準シソーラス用語： Dresselhaus効果 ,  Kerr回転 ,  Rashba効果 ,  準一次元系 ,  *脱位相

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： スピン-軌道相互作用 ,  相殺 ,  GaAs ,  ワイヤ ,  バルク ,  電子 ,  スピン ,  脱位相