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J-GLOBAL ID：201002298133427742   整理番号：10A0772473

プラズマ増強化学蒸着によるインジウム触媒化シリコンナノワイヤの成長研究

Growth study of indium-catalyzed silicon nanowires by plasma enhanced chemical vapor deposition

著者 (12件)： ZARDO I. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  CONESA-BOJ S. (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  ESTRADE S. (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  YU L. (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  PEIRO F. (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  ROCA I CABARROCAS P. (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  MORANTE J. R. (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  MORANTE J. R. (Catalonia Inst. for Energy Res., CAT, ESP) ,  ARBIOL J. (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  ARBIOL J. (CSIC, CAT, ESP) ,  FONTCUBERTA I MORRAL A. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  FONTCUBERTA I MORRAL A. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 100  号： 1  ページ： 287-296  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体素子開発に関する基礎研究の一環として,本研究では,プラズマ増強化学蒸着を用いたインジウム触媒化シリコンナノワイヤの成長を調べた。キャラクタリゼーションには走査電子顕微鏡法,透過型電子顕微鏡法およびRaman分光法を用いた。その結果に基づいて,1)上記ナノワイヤは,〈111〉,〈112〉または〈001〉成長方向に沿って結晶化すること,2)〈112〉および〈111〉方向に成長する場合には,ナノワイヤは類似の結晶度を有し,{111}面に沿って高密度の双晶が存在すること,などを記した。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  インジウム化合物 ,  金属触媒 ,  走査電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  電子エネルギー損失分光法 ,  結晶化 ,  結晶方位 ,  結晶度 ,  双晶
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  HRTEM ,  インジウム触媒

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  インジウム触媒 ,  シリコンナノワイヤ ,  成長 ,  研究