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J-GLOBAL ID：201002298133499689   整理番号：10A0537821

ペンタセンと非晶質InGaZnO薄膜トランジスタを用いる高利得と平衡雑音余裕を有する可撓性ハイブリッド相補的インバータ

Flexible hybrid complementary inverters with high gain and balanced noise margins using pentacene and amorphous InGaZnO thin-film transistors

著者 (5件)： KIM J.b. (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...) ,  FUENTES-HERNANDEZ C. (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...) ,  KIM S.-j. (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...) ,  CHOI S. (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...) ,  KIPPELEN B. (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 6  ページ： 1074-1078  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可撓性ポリエーテルスルホン基板にp-とn-チャンネル薄膜トランジスタ(TFT)用のペンタセンと非晶質InGaZnO薄膜からなるハイブリッド有機-無機相補的インバータを作製した。p-とn-チャンネルTFTはそれぞれ飽和移動度値0.15と0.38cm²/Vsを示した。新しい方法が相補的インバータのスイッチング閾値電圧と最適供給電圧を見いだすことを提案した。この方法の範囲で,供給電圧25Vが12.5Vのスイッチング閾値電圧で130V/Vの高利得を示すことを実証した。理想的供給電圧でこれらのインバータの操作はそれらの理論最大値の84%という高い平衡雑音余裕を導いた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリエーテルスルホン ,  高分子膜 ,  *有機半導体 ,  真空蒸着 ,  酸化亜鉛 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *非晶質半導体 ,  半導体薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *インバータ ,  *薄膜トランジスタ ,  スイッチングダイオード ,  電力供給 ,  キャリア移動度 ,  利得 ,  *雑音余裕 ,  柔軟性 ,  有機-無機ハイブリッド ,  ポリアセン
準シソーラス用語： スパッタリング蒸着 ,  チャネル移動度 ,  ポリエーテルスルホン膜 ,  可撓性 ,  供給電圧 ,  電力利得 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (8件)： ペンタセン ,  非晶質 ,  トランジスタ ,  高利得 ,  平衡 ,  雑音余裕 ,  可撓性 ,  インバータ