文献

J-GLOBAL ID：201002298176900018   整理番号：10A0449441

一端が飽和したジグザググラフェンナノリボンに関する電子特性および磁気特性

Electronic and magnetic properties of zigzag graphene nanoribbon with one edge saturated

著者 (6件)： XU B. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  YIN J. (Dep. of Physics, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  XIA Y. D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  WAN X. G. (Dep. of Physics, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  JIANG K. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  LIU Z. G. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 16  ページ： 163102  発行年： 2010年04月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一端が二個の水素原子で飽和し他端は一個の水素原子で飽和したジグザググラフェンナノリボンの,エネルギー的安定性,および電子的および磁気的性質を密度汎関数理論(DFT)を用いて調べた。その結果,他のエッジ形態と異なり,強磁性半導体状態が最低エネルギー状態であった。反強磁性状態と強磁性状態のエネルギー差はナノリボンの幅に逆比例した。本研究のグラフェンナノリボンのバンドギャップと磁気モーメントは,ジグザググラフェンナノリボンのものよりいずれも大きかった。このような一端が飽和したジグザググラフェンナノリボンでは,C原子をB,Nなどの他の原子で置換したり空孔を導入したりする必要がない。そのため,本研究結果はナノエレクトロニクスおよびスピントロニクスへの応用のためのカーボンナノ構造を作る方法を提供するものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ナノ構造 ,  構造 ,  *強磁性半導体 ,  *バンドギャップ ,  状態密度 ,  磁気的性質 ,  サイズ効果 ,  形状効果 ,  結合 ,  水素 ,  密度汎関数法 ,  近似法 ,  プログラムパッケージ ,  磁気モーメント ,  *グラフェン
準シソーラス用語： PAW法 ,  VASP【計算機プログラム】 ,  ジグザグ構造 ,  ナノリボン ,  水素原子

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 飽和 ,  ジグザグ ,  グラフェンナノリボン ,  電子 ,  磁気特性