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J-GLOBAL ID：201002298243271934   整理番号：10A1012647

透明Ga₂O₃-In₂O₃-ZnO薄膜トランジスタのための不動態化層としてのSU-8レジストに関する洞察

Insight on the SU-8 resist as passivation layer for transparent Ga₂O₃-In₂O₃-ZnO thin-film transistors

著者 (8件)： OLZIERSKY Antonis (Dep. of Electronics, M-2E/XaRMAE/IN2UB, Univ. of Barcelona, C/Marti i Franques 1, Barcelona 08028, ESP) ,  BARQUINHA Pedro (Departamento de Ciencia dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de ...) ,  VILA Anna (Dep. of Electronics, M-2E/XaRMAE/IN2UB, Univ. of Barcelona, C/Marti i Franques 1, Barcelona 08028, ESP) ,  PEREIRA Luis (Departamento de Ciencia dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de ...) ,  GONCALVES Goncalo (Departamento de Ciencia dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de ...) ,  FORTUNATO Elvira (Departamento de Ciencia dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de ...) ,  MARTINS Rodrigo (Departamento de Ciencia dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciencias e Tecnologia (FCT), Universidade Nova de ...) ,  MORANTE Juan R. (Dep. of Electronics, M-2E/XaRMAE/IN2UB, Univ. of Barcelona, C/Marti i Franques 1, Barcelona 08028, ESP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 6  ページ： 064505  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明金属酸化物ベース薄膜トランジスタを不動態化する非真空及び低温プロセスを述べた。このプロセスは,環境条件に対する素子劣化,真空あるいはスパッタリング表面損傷を防ぐエポキシベースSU-8レジストを使用した。不動態化層としてのSU-8の組み込みは,高い機械的及び化学的安定性をもつ特徴を与えるこの高分子の能力に基づいていた。このアプローチにより,リソグラフィーを行い,不動態化層を形成するために,素子の活性領域に亘ってレジストをパターン形成した。得られたトランジスタは,μ_FE=61cm²/Vs,V_ON=-3V,オン/オフ=4.4×10⁹,及びS=0.28V/decのような,非常に良好な電気的特性を実証した。SU-8/金属酸化物界面特性による電気的挙動も,Fourier変換赤外分析に基づいて報告した。対照的に,不動態化層としてのSiO₂のスパッタリングが,如何に,スイッチオフできない深刻な劣化素子を生じるかを実証した。適切に働く素子を得るためには,高架橋高分子ネットワークを得るために,200°C,1時間,SU-8を強くベークしなければならないことを示した。電流バイアスストレス及び真空条件下における,貯蔵時間に関するSU-8不動態化素子の安定性も,実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *酸化ガリウム ,  *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  *不動態化 ,  フォトレジスト ,  安定性 ,  パターン形成 ,  Fourier変換赤外分光分析 ,  二酸化ケイ素 ,  重合体 ,  ベーキング
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  透明性 ,  *SU-8 ,  架橋高分子

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga2O3 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ ,  不動態化 ,  SU-8 ,  レジスト ,  洞察