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J-GLOBAL ID:201002298350507533   整理番号:10A0450923

エタノールセンシングのためのSOI CMOS基板上で成長するZnOナノワイヤ

ZnO nanowires grown on SOI CMOS substrate for ethanol sensing
著者 (10件):
資料名:
巻: 146  号:ページ: 559-565  発行年: 2010年04月29日 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文はアルコールセンサとして使用される,酸化亜鉛ナノワイヤ(ZnO NWs)と,絶縁体上ケイ素(SOI)CMOS(相補型金属酸化物半導体)マイクロホットプレート上での統合について報告する。マイクロホットプレートは膜(シリコン基板で支持された酸化ケイ素と窒化ケイ素とから成る)内に埋め込まれたシリコンレジストマイクロヒータと,センシング材料をオーム接触させるのに用いるアルミニウム電極を結合した金隆起とから構成される。ZnO NWsは単純で低コストの水熱法により成長し,SEM,XRDと光ルミネッセンス法を使用して特性化した。エタノール蒸気(異なる湿度レベルで)に対するオンチップNWsの化学的感受性を,異なる300°Cと400°C(それぞれ,電力消費は24mWと33mW)の2種温度下で特性化した。そして感度は0.1%/ppm(4363ppmでの応答4.7)であることが判明した。これらの結果から,ZnO NWsが低コスト,低電力消費と集積回路工学を提供するCMOSエタノールガスセンサとして有望な材料であることを示す。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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