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J-GLOBAL ID：201002298363929100   整理番号：10A1033306

高分子電解質ブラシ:MDシミュレーション及びSCF理論

Polyelectrolyte Brushes: MD Simulation and SCF Theory

著者 (7件)： HE Su-zhen (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  HE Su-zhen (Putian Univ., Putian, CHN) ,  MERLITZ Holger (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  MERLITZ Holger (Leibniz-Inst. Polymerforschung Dresden, Dresden, DEU) ,  CHEN Long (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  SOMMER Jens-Uwe (Leibniz-Inst. Polymerforschung Dresden, Dresden, DEU) ,  WU Chen-Xu (Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
資料名： Macromolecules  (Macromolecules)
巻： 43  号： 18  ページ： 7845-7851  発行年： 2010年09月28日 
JST資料番号： B0952A  ISSN： 0024-9297  CODEN： MAMOBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子電解質ブラシの分子動力学(MD)シミュレーションを行い,最近導入されたオフ格子つじつまの合う場の方法(SCF法)(Biesheuvel,P.M.ら,Macromolecules2008,41,6254)との比較を行った。高分子電解質ブラシを,一端が非荷電平表面に固定されて,通常8×8方形グリッドを形成する,M=64自由結合ビーズスプリング鎖としてモデル化した。Biesheuvelらによるオフ格子SCFモデル及びその数学的導入について議論した。MDシミュレーションについて以下の項目について考察した。1)静電相互作用強度及びブラシ形態,2)高グラフト密度でのブラシ,3)変化する塩濃度及び鎖長。Bjerrum長l_Bの関数としてのブラシ高h及びGouy-Chapman長l_GC図などを提示した。検討の結果,SCF手法は,グラフト密度によるブラシ高の増大及び塩濃度の上昇によるその崩壊を,半定量的正確さで再現できることが分かった。一層高いグラフト密度では密度分布は良く一致し,一層低い密度ではMD分布は,SCF予測から外れること,また,末端モノマ分布は,高いグラフト密度の場合を除いて,MD及びSCF手法は一般的に良い一致を示さないことなどが明らかになった。

シソーラス用語： 分子動力学 ,  *計算機シミュレーション ,  *SCF法 ,  静電相互作用 ,  *高分子電解質 ,  *高分子ブラシ ,  高分子鎖 ,  濃度依存性 ,  鎖長効果 ,  密度分布
準シソーラス用語： *分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： 高分子溶液の理論  (CG02012B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高分子電解質 ,  ブラシ ,  MDシミュレーション