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J-GLOBAL ID：201002298399405132   整理番号：10A1153942

表面化学による単結晶ルブレン中の電荷移動度の制御

Control of charge mobility in single-crystal rubrene through surface chemistry

著者 (7件)： ZHANG Keke K. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, 639798, SGP) ,  TAN Kejie (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, 639798, SGP) ,  ZOU Changji (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, 639798, SGP) ,  WIKBERG Magnus (Uppsala Univ., The Ångstroem Lab., Dep. of Engineering Sci., Div. of Solid State Physics, SE-751 21 Uppsala, SWE) ,  MCNEIL Laurie E. (Dep. of Physics and Astronomy, The Univ. of North Carolina at Chapel Hill, Chapel Hill, NC 27599-3255, USA) ,  MHAISALKAR Subodh G. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, 639798, SGP) ,  KLOC C. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, 639798, SGP)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 12  ページ： 1928-1934  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ルブレン単結晶電界効果トランジスターの移動度を水素及び酸素ガス存在下で測定した。成長した結晶の移動度は~10cm²/Vsであるが水素環境で還元中に0.01cm²/Vsに落ち,酸素中ではほとんど元の値に戻る。表面還元及び酸化の数サイクルを実施すると表面反応は可逆的であり,移動度は酸化された表面の値(10cm²/Vs)から還元された表面の値(0.01cm²/Vs)の間の値で変化する。ルブレン単結晶の酸化された或は還元された表面を調べるためFourier-変換赤外分光(FTIR),光ルミネセンス分光(PL)を用いた。FTIR,ラマン,PL分光によれば表面酸化の状態に依存してルブレン表面とバルクで違いが示された。ルブレン結晶の高電界効果移動度は結晶表面上の酸化物層による表面ドーピングの結果であってルブレンの真の分子的,及び結晶構造によるものでないと結論できる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *界面化学 ,  *単結晶 ,  *キャリア移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  表面反応 ,  FTIR分光法 ,  光ルミネセンス ,  ドーピング ,  結晶構造 ,  Ramanスペクトル ,  表面構造 ,  酸化還元反応
準シソーラス用語： *表面化学 ,  *電荷移動度 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ルブレン

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面化学 ,  単結晶 ,  ルブレン ,  電荷移動度