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J-GLOBAL ID：201002298409387421   整理番号：10A0544899

10Gb/sの広帯域シリコン電気光学吸収変調素子

10Gb/s broadband silicon electro-optic absorption modulator

著者 (2件)： ELSHAARI Ali W. (Microsystems Engineering, Kate Gleason Coll. of Engineering, Rochester Inst. of Technol., Rochester, NY 14623, USA) ,  PREBLE Stefan F. (Microsystems Engineering, Kate Gleason Coll. of Engineering, Rochester Inst. of Technol., Rochester, NY 14623, USA)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 283  号： 14  ページ： 2829-2834  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい広帯域シリコン電気光学吸収変調素子の設計を提案した。この素子はSchottkyダイオードを集積した長さ100μmの単純なシリコン導波路からなる。変調は干渉効果ではなく,自由キャリヤ吸収を通して行われるので,導波路の全帯域幅での動作が可能になる。この素子の高速(>10Gb/s)性,小さい占有面積および約4.6dBの変調深さは変調キャリア密度と光学モードとの大きな重なりにより実現された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光変調素子 ,  *電気光学効果 ,  *ケイ素 ,  広帯域 ,  光学設計 ,  *光導波路 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *OEIC ,  高速度 ,  小型 ,  変調構造 ,  キャリア密度 ,  光学モード
準シソーラス用語： *電界吸収変調器

分類 (2件)： 光変調器  (BD06020W) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 広帯域 ,  シリコン ,  光学 ,  変調