集積回路の性能限界を突破する本格研究  高性能III-V族トランジスタをシリコンの上に形成

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J-GLOBAL ID：201002298432169628 整理番号：10A0719704

集積回路の性能限界を突破する本格研究高性能III-V族トランジスタをシリコンの上に形成

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巻： 10 号： 7 ページ： 10-11 発行年： 2010年07月01日
JST資料番号： L4330A ISSN： 1880-0041 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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