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J-GLOBAL ID：201002298552985623   整理番号：10A0716443

高密度表面状態を持つ変調ドープヘテロ構造における電子分布に対するモデル

Model for the electron distribution in modulation-doped heterostructures with high density of surface states

著者 (1件)： GERHARDTS Rolf R. (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 20  ページ： 205324.1-205324.10  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *変調ドーピング ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  多層膜 ,  保護膜 ,  *表面準位 ,  電子密度 ,  密度分布 ,  解析モデル ,  熱平衡 ,  不純物準位 ,  電子系 ,  Hartree-Fock法 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： キャップ層 ,  ドナー準位 ,  二次元電子系

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 変調ドープ ,  ヘテロ構造 ,  電子分布 ,  モデル