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J-GLOBAL ID：201002298666918519   整理番号：10A0514829

噴霧熱分解により調製したアルミニウム添加酸化カドミウム薄膜の電気/光学/構造特性

Electrical, optical and structural properties of aluminum doped cadmium oxide thin films prepared by spray pyrolysis technique

著者 (5件)： KUMARAVEL R. (Crystal Growth and Thin Film Lab., School of Physics, Bharathidasan Univ., Tiruchirappalli-620024, IND) ,  MENAKA S. (Crystal Growth and Thin Film Lab., School of Physics, Bharathidasan Univ., Tiruchirappalli-620024, IND) ,  SNEGA S. Regina Mary (Crystal Growth and Thin Film Lab., School of Physics, Bharathidasan Univ., Tiruchirappalli-620024, IND) ,  RAMAMURTHI K. (Crystal Growth and Thin Film Lab., School of Physics, Bharathidasan Univ., Tiruchirappalli-620024, IND) ,  JEGANATHAN K. (Centre for Nanoscience and Nanotechnology, School of Physics, Bharathidasan Univ., Tiruchirappalli, 620 024, IND)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 122  号： 2-3  ページ： 444-448  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のアルミニウム濃度(1~5wt%)で,ガラス基板上へ,噴霧熱分解法により,透明導電性アルミニウム添加酸化カドミウム(CdO:Al)薄膜を蒸着させた。X線回折(XRD),原子間力顕微鏡,光透過率,Hall測定などの種々の方法を利用し,CdO:Al膜を特性化した。XRD分析では,CdO膜が(200)優先配向をする立方晶結晶構造を持つことを示した。CdO膜にAlを3wt%添加すると,キャリア濃度4.12×10²⁰cm^-3と共に最小抵抗率3.4×10^-4Ω・cmが実現した。バンドギャップ値は添加により増加し,添加レベルが3wt%で最大値2.53eVに達し,次に,より高いAl添加濃度で減った。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化カドミウム ,  *ドーパント ,  *アルミニウム ,  *蒸着膜 ,  噴霧法 ,  基板 ,  *性質 ,  *導電性 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  光透過 ,  透過率 ,  Hall効果 ,  結晶方位 ,  立方晶系 ,  濃度依存性 ,  キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  キャリア濃度 ,  *透明性 ,  噴霧熱分解

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 噴霧熱分解 ,  調製 ,  アルミニウム ,  酸化カドミウム ,  薄膜 ,  光学 ,  構造特性