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J-GLOBAL ID：201002298717785063   整理番号：10A0053896

低温湿式化学浴堆積法による十分に配向したZnOナノロッドアレイの制御された成長

Controllable growth of well-aligned ZnO nanorod arrays by low-temperature wet chemical bath deposition method

著者 (7件)： LI Qingwei (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  BIAN Jiming (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  SUN Jingchang (School of Physics and Electronic Technol., Liaoning Normal Univ., Dalian 116024, CHN) ,  WANG Jingwei (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  LUO Yingmin (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  SUN Kaitong (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  YU Dongqi (School of Physics and Electronic Technol., Liaoning Normal Univ., Dalian 116024, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 6  ページ： 1698-1702  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 十分に配向したZnOナノロッドアレイを低温湿式化学浴堆積法(CBD)によりSi基板上に異なる条件の下で合成した。六方晶系ウルツ鉱型構造の高密度ZnOナノロッドは垂直に配向し,基板上に一様に分布していることが実証された。ナノロッドモルフォロジーに及ぼす前駆体の濃度,成長温度,成長時間の効果を体系的に調べた。CBDの化学プロセスと核形成基礎理論に基づいて,作製パラメータの効果に対する機構を解明した。作製パラメータを調整しておくことで十分に配向したZnOナノロッドの制御された成長が実現できることを実証した。最適化したパラメータの下で作製された試料の室温光ルミネセンススペクトルにおいて強い近バンド端紫外(UV)発光が観測され,通常,観測される欠陥関連深い準位発光は殆ど検出されなかった。これは低温でのこの容易な化学プロセスを介して光学品質のZnOナノロッドアレイが得られたことを示している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  配列 ,  析出 ,  薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  優先配向 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  六方晶系 ,  核形成 ,  *光ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  結晶度
準シソーラス用語： *ナノロッドアレイ ,  *化学浴堆積

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  化学浴堆積 ,  配向 ,  ZnOナノロッド ,  アレイ ,  成長