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J-GLOBAL ID：201002298760364063   整理番号：10A0422109

GaN中の深い中心放射の性質

Nature of deep center emissions in GaN

著者 (4件)： SEDHAIN A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ. Lubbock, Texas 79409, USA) ,  LI J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ. Lubbock, Texas 79409, USA) ,  LIN J. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ. Lubbock, Texas 79409, USA) ,  JIANG H. X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ. Lubbock, Texas 79409, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 15  ページ： 151902  発行年： 2010年04月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN中の深い中心放射の性質を探索するため,光ルミネセンス(PL)分光測定を行った。遠赤外(IR)領域で室温PLスペクトルを測定した結果,1.23eV近傍を中心とする放射バンドの存在が明らかになった。IRおよび可視光放射スペクトルの詳細な解析に基づき,この放射バンドはGa空孔および隣の窒素原子サイトの一つを占める酸素原子からなる深い複合準位を含むバンド-不純物遷移であることを示した。Ga空孔および窒素原子サイトを占める酸素原子が二つの異なる配置をもつことから生じる,二つの電子構造を観測した。これは,GaNにおける黄色のルミネスセンスバンドと1.23eVの放射線は共通した深い中心と関係している証拠である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *光ルミネセンス ,  *遠赤外線 ,  *深い準位 ,  不純物 ,  *複合欠陥 ,  空格子点 ,  *欠陥準位
準シソーラス用語： 空孔【点欠陥】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  放射 ,  性質