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J-GLOBAL ID：201002298783166650   整理番号：10A0771958

シリコン(111)基板上窒化ガリウム系発光デバイスの特性改善に関する研究

Research on improvement of Gan-based light emitting devices grown on silicon (111) substrate

資料名： 極微デバイス機能システム研究センター報告書  (Technical Report at Research Center for Nano-Device and System)
巻： 7  ページ： 1-104  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： L5782A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(111)基板上で成長した窒化ガリウム系発光デバイスの素材の特性解析,製造および評価の研究を行った。Al_0.06Ga_0.94N/GaN SLSを添加することにより,LEDデバイスの光学および電気特性を改善した。このLEDの構造と,シリコン(111)基板上にクラッド層を加えない在来のLED構造を比較した。Al_0.06Ga_0.94N/GaN SLS下層を付加することによるエピタキシャル層の品質の改善をX線回折分析を行って確認した。さらにフォトルミネセンス面のマッピングにおける波長ピークの均一性が向上し,LEDサンプルの光学および電気特性が改善がされた。

シソーラス用語： 固体素子 ,  *発光ダイオード ,  ウエハ【IC】 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  被覆層 ,  性能分析 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： エピタキシャル ,  シリコン基板 ,  ヒ化窒化ガリウム ,  *発光デバイス

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  窒化ガリウム ,  発光デバイス ,  特性改善 ,  研究