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J-GLOBAL ID：201002298787445766   整理番号：10A0134519

グラフェンPN接合の電流電圧特性

Current-Voltage Characteristics of Graphane p-n Junctions

著者 (2件)： GHAREKHANLOU Behnaz (Sharif Univ. Technol., Tehran, IRN) ,  KHORASANI Sina (Sharif Univ. Technol., Tehran, IRN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 1  ページ： 209-214  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは,PN接合の作成のための有力な材料である。しかし,ギャップレス材料なので化学的ドーパントを用いて,有効なPおよびN領域を作ることは不可能である。しかし,適切な置換が可能である。その構造と微小面積のために基本的科学分野への応用の可能性をもち,グラフェンの合成が報告されている。本稿では,バンドギャップを効率的に低減するために,水素欠損をもつグラフェンに基づいた二次元PN接合を紹介した。基本的パラメータを,TB法を用いて計算したグラフェンバンド構造から抽出した。基礎解析を用いて,接合のShockleyの法則の近似内にて,指数理想電流電圧特性表示を可能にした。さらに,接合近辺の電子電位および電界の表面分布を計算し,簡単な表式を作成した。それは,半導体バルクPN接合との大きな違いを示した。

シソーラス用語： *電流電圧特性 ,  *PN接合 ,  *グラファイト ,  ドーパント ,  バンドギャップ ,  損失 ,  水素 ,  二次元 ,  バンド構造 ,  強束縛近似 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： TB近似 ,  欠損

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  PN接合 ,  電流電圧特性