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J-GLOBAL ID：201002298855209723   整理番号：10A1623323

ナノ構造半導体InNにおける強磁性の発現の実験的観測

Experimental observation of ferromagnetism evolution in nanostructured semiconductor InN

著者 (16件)： SONG Bo (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  SONG Bo (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  ZHU Kaixing (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Jun (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  JIAN Jikang (Xinjiang Univ., Urumchi, CHN) ,  HAN Jiecai (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  BAO Huiqiang (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Hui (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Yu (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZUO Hongbo (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  WANG Wanyan (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Gang (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Xinghong (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  MENG Songhe (Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN) ,  WANG Wenjun (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Xiaolong (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 20  号： 44  ページ： 9935-9940  発行年： 2010年11月28日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムとアンモニアの反応により窒化インジウム結晶を成長させた。X線回折,電界放出型走査電子顕微鏡,高分解能電子顕微鏡,Ramanスペクトル,磁化率測定,光ルミネセンスによりキャラクタリゼーションを行った。常磁性の立方晶In₂O₃から六方晶InNへの反応時間による変化を調べた。相転移における窒素空孔などの表面欠陥が窒化に伴って増大し,希薄強磁性半導体(DMS)を生成すると結論した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化インジウム ,  *結晶成長 ,  酸化インジウム ,  アンモニア ,  気固反応 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  磁化率 ,  光ルミネセンス ,  常磁性 ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  強磁性 ,  相転移 ,  表面欠陥 ,  ナノ構造 ,  窒化 ,  半導体
準シソーラス用語： *希薄強磁性半導体 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  立方晶 ,  六方晶

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ構造 ,  InN ,  強磁性 ,  発現 ,  実験 ,  観測