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J-GLOBAL ID：201002298930707343   整理番号：10A0826277

(Ni/Au)/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における表面準位および直列抵抗の温度依存プロフィル

Temperature-dependent profile of the surface states and series resistance in (Ni/Au)/ AlGaN/AlN/GaN heterostructures

著者 (4件)： TASCIOGLU I. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  AYDEMIR U. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  SAFAK Y. (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  OEZBAY E. (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 42  号： 6/7  ページ： 812-815  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1MHz,80-400Kで,(Ni/Au)/Al_xGa_1-xN/AlN/GaN(x=0.22)ヘテロ構造の順方向と逆方向バイアス容量電圧温度特性とコンダクタンス電圧温度特性から,界面状態密度N_ssと直列抵抗R_sの温度依存プロフィルを得た。容量とコンダクタンスは温度依存性が大きく,とくに低温で顕著であった。温度低下とともに,文献とは対照的にR_sは減少した。表面準位の分子再構成と再規則化および金属と半導体間の転位により,N_ssは140Kでピークを示した。容量電圧プロットは順方向バイアス~5.5V付近で交差した後,負になった。この交差と温度上昇に伴うR_s増加は低温での自由電荷の欠乏に起因した。順方向バイアス電圧で,温度上昇とともにNCは減少し,この減少はコンダクタンスの増加に対応した。分極増とともに容量が低下し,さらに多くのキャリアが構造中に導入した。N_ssとR_sは本ヘテロ構造の電気定数に大きく影響した。

シソーラス用語： *ニッケル ,  *金 ,  半導体材料 ,  *素子構造 ,  表面準位 ,  静電容量 ,  周波数依存性 ,  電気抵抗 ,  不定比化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化物 ,  温度依存性
準シソーラス用語： AlGaN ,  直列抵抗 ,  電気定数 ,  *ヘテロ構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (10件)： Ni ,  Au ,  AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  表面準位 ,  直列抵抗 ,  温度依存 ,  プロフィル