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J-GLOBAL ID：201002299011719188   整理番号：10A0714255

n-ZnO/p-GaAsヘテロ接合の構造,光学および電気特性

Structural, optical, and electrical properties of n-ZnO/p-GaAs heterojunction

著者 (6件)： TEKMEN Sueleyman (Atatuerk Univ., Erzurum, TUR) ,  GUER Emre (Atatuerk Univ., Erzurum, TUR) ,  ASIL Hatice (Atatuerk Univ., Erzurum, TUR) ,  CINAR Kuebra (Atatuerk Univ., Erzurum, TUR) ,  COSKUN Cevdet (Atatuerk Univ., Erzurum, TUR) ,  TUEZEMEN Sebahattin (Atatuerk Univ., Erzurum, TUR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 6  ページ： 1464-1467  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の3電極セル中での電着により,p-GaAs基板上にn-ZnO薄膜を堆積させた。X線回折によれば,膜はc軸(0002)優先配向であった。光ルミネセンスによれば,試料は強力で鋭い紫外発光を呈し,高品質であることを示した。n-ZnO/p-GaAsヘテロ接合の電流電圧特性はダイオードに似た整流特性を示し,整流性は約5桁でターンオン電圧は2Vであった。また,理想因子を2.26と算出した。本研究により,きわめて簡単で安価な電着技術により,きわめて高品質のPN接合の形成されることが明らかになった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  PN接合 ,  *電着 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  X線回折 ,  優先配向 ,  *光ルミネセンス ,  紫外可視発光スペクトル ,  *電流電圧特性 ,  整流 ,  因子
準シソーラス用語： 理想因子

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  光学 ,  電気特性