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J-GLOBAL ID:201002299052292857   整理番号:10A0426147

ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体のアモルファス薄膜における光誘起表面レリーフ形成

著者 (7件):
資料名:
巻: 90th  号:ページ: 846  発行年: 2010年03月12日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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ヘキサアリールビスイミダゾール(HABI)は紫外光照射により反応活性なローフィルラジカルを生成するラジカル解離型フォトクロミズムを示す。これまでにHABI誘導体の単一成分アモルファス薄膜において可逆的な光誘起表面レリーフ(PSR)形成を見いだし,PSR形成は物質移動に起因することを明らかにした。今回,HABIに導入する置換基とPSR形成との関係に着目し,そのPSR形成メカニズムについて検討した。(著者抄録)
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分類 (5件):
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イミダゾール  ,  光化学一般  ,  その他の光学的効果  ,  その他の無触媒反応  ,  反応に及ぼす構造の効果 
物質索引 (2件):
物質索引
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タイトルに関連する用語 (5件):
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