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J-GLOBAL ID：201002299273879178   整理番号：10A0704012

対向ターゲットスパッタリング中内蔵有機発光ダイオードのJ-V-L性能に及ぼす酸化インジウムすずのアノードにおけるパルスDC周波数変化の効果

Effect of change in pulsed DC frequency on indium-tin oxide anode on J-V-L performance of built-up organic light emitting diode during facing-target sputtering

著者 (2件)： YOON Chul (Dept. of Materials Engineering, Korea Univ. of Technol. and Education, 1800 Chungjeol-ro, Byungcheon-myun ...) ,  KIM Sang-ho (Dept. of Materials Engineering, Korea Univ. of Technol. and Education, 1800 Chungjeol-ro, Byungcheon-myun ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 23  ページ： 6951-6955  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 対向ターゲット式スパッタの間のパルスDC振動数の関数として,酸化インジウム-スズ酸化物(ITO)陽極の電気的及び光学的性質と表面粗さに於ける変化の研究が行われた。その陽極上に開発された,有機発光ダイオード(OLEDs)の電流密度-電圧-輝度(J-V-L)特性がITOの性質と関係づけて測定され,解析された。パルスDC振動数が120kHzより小さい時は,ITOの抵抗は4.3×10^-4Ωcmより充分以下に保たれていて,光学的なバンドギャップは4.1eVより大きかったが,しかしこれらの性質は150kHzで柱状から等軸への形態的転移と共に突然変化した。一方表面粗さは150kHzまでのパルスDC振動数の増加と共に連続的に減少した。累積OLEDのJ-V特性は120kHzまでのパルスDC振動数の増加と共にわずかに低下し,それから150kHzでは急速に低下した。然しながら,L-V曲線は振動数が120kHzまでの増加と共にルミネセンスの改善を示した。これらのJ-V-L特性はパルスDC振動数が低いほどより伝導的でより高いバンドギャップを持つITOが得られることを意味する,このことはより高い電流のためには望ましいが;しかしよりよいルミネセンスは滑らかな表面と密接に関係している。したがって,OLEDsの最適化されたJ-V-L性能のためにはITOの形態的転移より下の穏やかなパルスDC振動数が望まれる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  電流電圧特性 ,  *電極 ,  スパッタ蒸着 ,  特性 ,  周波数依存性 ,  フォトニックバンドギャップ
準シソーラス用語： *有機発光ダイオード ,  *ITO電極 ,  電流密度-電圧-輝度特性

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ターゲット ,  スパッタリング ,  有機発光ダイオード ,  酸化インジウムすず ,  アノード ,  パルス ,  DC ,  周波数変化