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J-GLOBAL ID:201002299362316632   整理番号:10A0680442

SiCで修飾したシリコン基板上での薄膜の安定性と蛋白質抵抗性の改善

Highly stable, protein resistant thin films on SiC-modified silicon substrates
著者 (8件):
資料名:
巻: 46  号: 19  ページ: 3289-3291  発行年: 2010年05月21日 
JST資料番号: D0376B  ISSN: 1359-7345  CODEN: CHCOFS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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電気(及び電気機械)的な小型バイオセンサの開発を目的とし,シリコンウエハ基板の表面修飾について,SiC薄膜を形成させる方法を検討した。Siウエハ(100)表面を高温でアセチレンにより炭化してSiC層を形成させ,続いてオリゴ(エチレングリコール)(OEG)を末端アルケン部分の紫外光重合で移植した場合,OEG膜の存在でフィブリノーゲンの非選択的な吸着をほぼ完全に阻止でき,SiC層の存在で溶液中(PBS緩衝溶液)での長期間の貯蔵(37°Cで4週間)が可能になる(化学的安定性,生体適合性,機械的特性,電気的応答性の改善)。SiC層とOEG係留アルキル層の特性化を行い,蛋白質との相互作用特性(蛋白質抵抗性はOEGの鎖長に依存)についても評価した。
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分類 (1件):
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高分子固体の構造と形態学 

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