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J-GLOBAL ID：201002299380405570   整理番号：10A0686409

中性子照射GaAsの欠陥状態の連続分布とバンドギャップナローイング

Continuous distribution of defect states and band gap narrowing in neutron irradiated GaAs

著者 (6件)： FLEMING R. M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185-1415, USA) ,  LANG D. V. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185-1415, USA) ,  SEAGER C. H. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185-1415, USA) ,  BIELEJEC E. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185-1415, USA) ,  PATRIZI G. A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185-1415, USA) ,  CAMPBELL J. M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185-1415, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 123710  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速中性子照射したn型とp型GaAsダイオードの両方が,主としてn型GaAsで以前に研究され,深準位過渡分光法(DLTS)において「Uバンド」と名付けられた広い特徴を示すことを見出した。広いDLTS特徴の高温端はn型とp型GaAs両方において同じ温度でカットオフし,カットオフがミッドギャップに広がる連続欠陥状態密度について予想されるDLTS挙動によることを示唆している。DLTSミッドギャップカットオフによって暗示されるバンドギャップは,バルクGaAsバンドギャップ1.52eVに比べて1.36eVである。バンドギャップナローイングは中性子照射GaAsの以前の格子膨張測定と一致している。これは,不均一に広がる欠陥準位を持つ狭められたバンドギャップの領域である欠陥カスケードのモデルをもたらす。さらに,損傷カスケードが,損傷領域中のトラップの完全充填を防止する大きなCoulomb障壁によって取り囲まれていることを観察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *中性子照射 ,  *ヒ化ガリウム ,  *欠陥 ,  分布 ,  *バンドギャップ ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  ダイオード ,  深準位過渡分光法 ,  状態密度 ,  エネルギーギャップ ,  膨張 ,  欠陥準位 ,  損傷 ,  捕獲中心 ,  Coulomb障壁
準シソーラス用語： ミッドギャップ

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性子照射 ,  GaAs ,  欠陥状態 ,  分布