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J-GLOBAL ID：201002299411275840   整理番号：10A0662103

ホウ素ドープダイヤモンド膜電極を用いる逆浸透濃縮液中のN-ニトロソジメチルアミンの電気化学的分解

Electrochemical Destruction of N-Nitrosodimethylamine in Reverse Osmosis Concentrates using Boron-doped Diamond Film Electrodes

著者 (3件)： CHAPLIN Brian P (Univ. Arizona, AZ) ,  SCHRADER Glenn (Univ. Arizona, AZ) ,  FARRELL James (Univ. Arizona, AZ)
資料名： Environmental Science & Technology  (Environmental Science & Technology)
巻： 44  号： 11  ページ： 4264-4269  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： B0839A  ISSN： 0013-936X  CODEN： ESTHA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープダイアモンド(BDD)膜電極による逆浸透(RO)濃縮液中のN-ニトロソジメチルアミン(NDMA)の電気化学的分解を評価した。NDMAの酸化および還元分解速度への溶存有機炭素(DOC),塩素イオン(Cl^-),炭酸水素イオン(HCO₃^-)の影響を回分試験で調べた。NDMAの酸化速度はRO濃縮液に存在する濃度では影響を受けなかったが,Cl^-あるいはHCO₃^-では100mMの濃度でヒドロキシルラジカルの除去によってNDMA酸化の反応機構がヒドロキシルラジカル仲介から直接電子移動酸化に変化した。また,100mMのCl^-での電解質試験からClO₃^・のin situ生成がNDMAの酸化に寄与することを示した。さらに,密度関数理論計算によって,ClO₃^・とNDMAとの活性化障壁が7.2kJ/molの反応機構の存在を示した。

シソーラス用語： *電気化学的水処理 ,  *逆浸透 ,  濃縮 ,  電解 ,  還元 ,  ヒドロキシルラジカル ,  反応機構 ,  廃水処理 ,  ダイヤモンド ,  薄膜 ,  膜電極 ,  有機炭素 ,  溶存成分 ,  アニオン ,  炭酸水素イオン ,  理論 ,  濃度依存性 ,  *アノード酸化 ,  ニトロソアミン
準シソーラス用語： ダイヤモンド膜 ,  ホウ素ドープダイヤモンド ,  塩素イオン ,  密度関数理論 ,  溶存有機炭素

分類 (2件)： 下水,廃水の化学的処理  (SC03050W) ,  その他の汚染原因物質  (SB05040W)

物質索引 (1件)： N-ニトロソジメチルアミン

タイトルに関連する用語 (7件)： ホウ素ドープダイヤモンド ,  膜電極 ,  浸透 ,  濃縮液 ,  N-ニトロソジメチルアミン ,  電気化学 ,  分解