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J-GLOBAL ID:201002299494010117   整理番号:10A0780428

薄膜シリコン太陽電池のためのテクスチャ透明電極による光散乱

Light scattering by textured transparent electrodes for thin-film silicon solar cells
著者 (1件):
資料名:
巻: 94  号: 10  ページ: 1648-1657  発行年: 2010年10月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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重要な表面特性を定量化し,テクスチャ透明導電酸化物ー薄膜シリコン(Si)太陽電池のための重要な種類の材料による光散乱をシミュレーションするモデルが提示される。特徴付けの方法は,原子間力顕微鏡(AFM)高さでコード化されたデータだけに基づき,光の角度分解散乱(ARS)と空間分解能散乱(SRS)の手間がかかる測定の必要性を排除している。提示された方法は,実稼動環境における表板1枚薄膜のシングルとタンデム接合Si太陽電池のためのテクスチャ透明電極の速くて正確なインラインモニタリングを意図している。空間的な特徴分布の情報がある3次元高速フーリエ変換(3D FFT)の根-不偏分散粗度,平均取付角,および適合パラメータが,シングルAFMスキャンから高精度,ルーチンで測定でき,ARSとSRSの依存性の両方をシミュレーションするのに使用された。モデルは異なるモルフォロジーの表面のARSのピーク位置と幅の観測された違いについて説明している。化学的にテクスチャされたアルミニウムでドーピングされた酸化亜鉛(AZO)に特別な焦点が当てられた。従来の一枚岩的なAZOと新しいマルチ層のスタック設計の結果が提示される。また,光散乱特性と3D FFT’はっきりした特徴’への’挿入’層の効果も議論された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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太陽電池 
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