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J-GLOBAL ID：201002299503780150   整理番号：10A0850533

レーザ焼入及びイオン注入非晶質Ge_1-xTe_x薄膜の局所秩序と結晶化

Local Order and Crystallization of Laser Quenched and Ion Implanted Amorphous Ge_1-xTe_x Thin Films

著者 (15件)： CARRIA E. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  CARRIA E. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA) ,  MIO A. M. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  MIRITELLO M. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA) ,  GIBILISCO S. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  GIBILISCO S. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA) ,  DE BASTIANI R. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  DE BASTIANI R. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA) ,  PENNISI A. R. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  PENNISI A. R. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA) ,  BONGIORNO C. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA) ,  GRIMALDI M. G. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  GRIMALDI M. G. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA) ,  RIMINI E. (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  RIMINI E. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 9  ページ： H317-H320  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質局所秩序がどのように非化学量論Ge_1-xTe_x(x=0.37及び0.64)膜の安定性に影響するかを検討した。Teの多い合金のイオン又はレーザ照射によって生じた,Geの多い四面体を犠牲にした,Teの多い四面体の相対存在量の増加により非晶質の安定性が高められる。更なるGe-Te結合の生成がTeの析出を遅延させるからである。非晶質GeTeの同種の局所再配列により結晶化速度は高められる。これは結晶化に必要な中間段階であるTeの多い四面体の生成である。Geの多い合金の安定性は実際上非晶質状態とは関係がない。この場合結晶化はGeの移動度により限定され,低い拡散係数を考慮すると熱スパイクにより顕著な局所原子再配列が生じることはないからである。

シソーラス用語： *レーザ焼入 ,  *イオン注入 ,  *非晶質 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *薄膜 ,  *結晶化 ,  安定性 ,  四面体 ,  晶析速度 ,  移動度 ,  拡散係数 ,  熱スパイク ,  反射率 ,  Ramanスペクトル ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： *テルル化ゲルマニウム ,  結晶化速度

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の非晶質の構造  (BK04040Z) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ焼入 ,  イオン注入 ,  非晶質 ,  薄膜 ,  結晶化