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J-GLOBAL ID：201002299539394582   整理番号：10A0235680

GaAs(100)基板上のCdTe薄膜における励起子転移に及ぼす歪の効果

Strain Effects on Exciton Transition in CdTe Films on GaAs(100) Substrates

著者 (3件)： ONODERA Chikara (Aomori Prefectural Towada Technical Senior High School, Aomori, JPN) ,  YOSHIDA Masaaki (Hachinohe National Coll. Technol., Aomori, JPN) ,  TAGUCHI Tsunemasa (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 2,Issue 1  ページ： 021201.1-021201.4  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(100)基板上のCdTe薄膜について,光ルミネセンス(PL)および反射率キャラクタリゼーションを行った。CdTe薄膜での歪は,ε=-5.28×10^-4と推定した。PLおよび反射率スペクトルの解析により,重および軽正孔自由励起子結合エネルギーは,909meVであると推定した。重および軽正孔自由励起子反射率ディップ間のエネルギー間隔の解析により,残留圧縮歪の大きさは,CdTe薄膜内で均一に分布していると決定した。重および軽正孔自由励起子線幅の厚さ依存性から,CdTe薄膜の品質は,膜厚の減少と共に劣化することを観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *テルル化カドミウム ,  MOCVD ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  *励起子 ,  格子歪 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  反射率 ,  キャラクタリゼーション ,  スペクトル線幅 ,  正孔 ,  反射スペクトル
準シソーラス用語： 自由励起子 ,  反射率スペクトル

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  励起子  (BM02120E)

引用文献 (24件)：

• R. F. C. Farrow, G. R. Jones, G. M. Williams, and I. M. Young: Appl. Phys. Lett.39(1981)954.
• C. H. Wang, K. Y. Cheng, and S. J. Yang: Appl. Phys. Lett.46(1985)962.
• C. H. Wang, K. Y. Cheng, S. J. Yang, and F. C. Hwang: J. Appl. Phys.58(1985)757.
• I. B. Mat and S. K. Ghandhi: Appl. Phys. Lett.44(1984)779.
• N. C. Giles-Taylor, R. N. Bicknell, D. K. Blamks, Th. H. Myers, and J. F. Schetzina: J. Vac. Sci. Technol. A 3(1985)76.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  CdTe ,  薄膜 ,  励起子 ,  歪