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J-GLOBAL ID：201002299561952890   整理番号：10A0761756

ナノスフェアリソグラフィーによるカーボンナノチューブ集合体の成長とそれらの電界放出デバイスでの利用

Growth of carbon nanotube arrays using nanosphere lithography and their application in field emission devices

著者 (5件)： MATHUR A. (NIBEC, School of Engineering, Univ. of Ulster, Newtownabbey, N. Ireland BT37 0QB, GBR) ,  ROY S.s. (NIBEC, School of Engineering, Univ. of Ulster, Newtownabbey, N. Ireland BT37 0QB, GBR) ,  HAZRA Kiran S. (Dep. of Physics, I I T Bombay Powai, Mumbai-400 076, IND) ,  MISRA D.s. (Dep. of Physics, I I T Bombay Powai, Mumbai-400 076, IND) ,  MCLAUGHLIN J.a. (NIBEC, School of Engineering, Univ. of Ulster, Newtownabbey, N. Ireland BT37 0QB, GBR)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 7-9  ページ： 914-917  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホン研究では,マイクロ波プラズマ支援化学蒸着(MPCVD)によるカーボンナノチューブ(CNTs)のパターン形成成長とそれらの電界放出(FE)特性を調べた。DCスパッタリングによる超薄(~3nm)コバルト(Co)層の蒸着用マスクにナノスフェア単一層を用いた。スフェアを除去してCo触媒の周期的集合体を得た。顕微鏡的及びRaman分光的検討によって触媒島表面での多層CNTsのパターン形成成長を明らかにした。さらにCNTsの長さは約10μmで直径は40~60nmであった。電界放出特性を同一条件下で成長した非パターン形成CNTsのI-V特性と比較した。非パターン形成及びパターン形成試料の開始電界はほぼ同一で,10μA電流に対してそれぞれ0.64V/μmと0.67V/μmであった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  凝集体 ,  ポリスチレン ,  ナノ粒子 ,  自己集合 ,  シャドウマスク ,  スパッタリング ,  *コバルト ,  遷移金属触媒 ,  単一層 ,  周期構造 ,  *プラズマCVD ,  マイクロ波 ,  光学顕微鏡法 ,  Raman分光法 ,  *気相成長 ,  パターン形成 ,  *電界放出 ,  電流電圧特性 ,  リソグラフィー
準シソーラス用語： ナノスフェア ,  *パターン形成成長 ,  集合体

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスフェアリソグラフィー ,  カーボンナノチューブ ,  集合体 ,  成長 ,  電界放出