文献

J-GLOBAL ID：201002299670603545   整理番号：10A1126404

新規の端部終端化の概念:接合終端化(RJT)

A concept of a novel edge termination technique: Junction Termination (RJT)

著者 (6件)： HONDA Shigeto (Mitsubishi Electric Corp.) ,  FUJII Ryoichi (Mitsubishi Electric Corp.) ,  KAWAKAMI Tsuyoshi (Mitsubishi Electric Corp.) ,  FUJIOKA Seiji (Renesas Semiconductor Engineering Corp., Kumamoto, JPN) ,  NARAZAKI Atsushi (Mitsubishi Electric Corp.) ,  MOTONAMI Kaoru (Mitsubishi Electric Corp.)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd  ページ： 93-96  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平坦化SiO₂膜を充填したシリコン埋込みとp型RESURF(表面電界低減)(p-RESURF)層からなる,電力素子用新接合終端化方法を提案した。埋込み接合終端化(RJT)と名付けた,この新終端化方法は,高性能トランジスタの作製に必要である,低温プロセスと平坦化プロセスを用いた。電界のピークを低減する,正斜角形成のために配置したシリコン埋込みにより,新接合終端化はプレーナ接合の破壊電圧を改善した。RJTは,シリコン埋込みにより,RESURF層の熱抵抗バジェットを低減することができ,化学機械研磨(CMP)処理を用いた平坦化プロセスにより,ファインピッチプロセスと適合した。最初の段階で,電圧定格が75Vから1700Vの範囲である,pn RJTダイオードを作製し,各電圧定格用に充分な素子能力を得ることに成功した。さらに,漏洩電流は許容可能範囲であった。第2段階で,RJTダイオードの動的特性と安全動作領域(SOA)特性について調べた。また,RJT構造を用いた,先端キャリア保持トレンチ型バイポーラトランジスタ(CSTBT^TM)と陰極電界緩和(RFC)型ダイオードを作製した。2,3年内にRJT構造が広範囲の電力素子に応用されると予想した。

シソーラス用語： *成端 ,  *表面電位 ,  電位分布 ,  *プレーナ技術 ,  埋込み【挿入】 ,  ケイ素 ,  *絶縁破壊 ,  熱抵抗 ,  化学研磨 ,  ピッチ【機械要素】 ,  *PN接合 ,  漏れ電流 ,  動特性 ,  許容限界 ,  信頼性 ,  バイポーラトランジスタ ,  *接合ダイオード ,  電流電圧特性 ,  化学機械研磨 ,  リセス構造 ,  機械工作
準シソーラス用語： RESURF ,  CMP【化学研磨】 ,  SOA

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (2件)： 終端 ,  概念