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J-GLOBAL ID:201002299697760952   整理番号:10A0780387

Ti/p型InP Schottky整流器の温度依存性とキャリア輸送機構

Temperature dependency and carrier transport mechanisms of Ti/p-type InP Schottky rectifiers
著者 (8件):
資料名:
巻: 504  号:ページ: 146-150  発行年: 2010年08月13日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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著者らはp型InPへのTi Schottky接合の温度依存電流電圧(I-V)特性を調べた。Ti/p型InP Schottkyダイオードは1.08の理想係数をもたらし300Kにおいて0.73eVの障壁高さの良好な整流挙動を示す。p型InPへのTi Schottky接合の容量電圧(C-V)特性を室温で異なる周波数において測定した。C-V測定から障壁高さを10kHz,100kHzおよび1MHzにおいてそれぞれ0.71,0.72および0.77eVであると計算する。300KにおけるI-Vから得た障壁高さと300Kでf=1MHzにおいて測定したC-V特性の相違はSchottkyダイオード構造の均質な性質のため無視できる。300Kにおけるダイオードの特性エネルギーは熱電子放出が支配的な電流機構であることを示した。p型InPへのTi Schottky接合の逆電流-電圧特性の解析は漏れ電流に含まれる主プロセスは多分300KにおけるFrenkel-Poole放出と,一方350Kと400KにおいてSchottky放出と関係するだろうことを示す。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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