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J-GLOBAL ID：201002299756607870   整理番号：10A0682608

マルチチップパワーモジュールの回路シミュレーションのための総合的コンパクトモデル

Comprehensive Compact Models for the Circuit Simulation of Multichip Power Modules

著者 (1件)： CASTELLAZZI Alberto (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 25  号： 5-6  ページ： 1251-1264  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現状の6.5kVマルチチップIGBTモジュールの統合的な電気-熱的及び電磁気的なコンパクトモデルを提案した。モデルは,半導体の物理学ベースの記述とチップ及びパッケージングの過渡熱モデルを組合わせており,高速過渡現象(マイクロ秒領域)と低周波動作問題(ミリ秒及び秒領域)の両方に対する正確なシミュレーション能力を備える。モデルによるシミュレーション例として,IGBT及びダイオードの温度をパラメータとした電圧-電流特性のデータシートとの比較,及びIGBTのターンオフ及びターンオン現象の模擬を示した。シミュレーションはパッケージング,相互接続及び配置などに対し,等価な寄生的電磁効果を含むことでモジュールチップ間の出力配分不平衡を現実的に特性化できる。モデルは,一方で記述の完全さと正確さと,他方で計算労力との間の最適な妥協の達成を目標とした。結果は,多期間の動作から単一スイッチングの推移又は異常現象の調査にまで同様にうまく使用できる,非常に広用途の拡張性の有るモデルである。

シソーラス用語： 回路 ,  *半導体チップ ,  *モデル ,  *シミュレーション ,  熱 ,  過渡現象 ,  *IGBT ,  磁気電気効果 ,  出力
準シソーラス用語： チップ【IC】 ,  *マルチチップ ,  出力配分 ,  電磁効果

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  サイリスタ  (NC03060C) ,  数値解析,近似法  (AB04000F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 回路シミュレーション ,  コンパクトモデル