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J-GLOBAL ID：201002299898995176   整理番号：10A0955467

バイポーラトランジスタの熱インピーダンスに関する電気測定

Electrical Measurement of the Thermal Impedance of Bipolar Transistors

著者 (3件)： EL RAFEI Abdelkader (Limoges Univ., Brive la Gaillarde, FRA) ,  SOMMET Raphaeel (Limoges Univ., Brive la Gaillarde, FRA) ,  QUERE Raymond (Limoges Univ., Brive la Gaillarde, FRA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 939-941  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ構造バイポーラトランジスタの熱インピーダンスを決定するための特性評価手法を提案した。電力デバイスの熱インピーダンスを決定することは難しいけれども,デバイスの温度を知るためには必須である。本手法において,熱インピーダンスは低周波数でのSパラメータ測定を使用して特性評価される。そのため,本手法は現場で,パッケージ化されたトランジスタを評価するのにも使用できる。本稿では,提案手法が,トランジスタのサイズに依存することなく熱インピーダンスを特性評価できることを示した。本手法は,GaN HEMTにも適用可能である。

シソーラス用語： *バイポーラトランジスタ ,  *インピーダンス ,  HBT【トランジスタ】 ,  HEMT ,  S行列 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  *熱インピーダンス ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： バイポーラトランジスタ ,  熱インピーダンス ,  電気測定