特許
J-GLOBAL ID：201003000272417250
液晶装置および電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-047659
公開番号（公開出願番号）：特開2010-204239
出願日： 2009年03月02日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】。画素トランジスターを構成する半導体膜と同層の半導体膜を保持容量電極として用いた場合でも、十分な容量値の保持容量を構成することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置100において、保持容量60を構成するにあたって、画素トランジスター30を構成する半導体膜1aと同層の第1保持容量電極1fと、画素トランジスター30のゲート電極と同層の第2保持容量電極3bとの間に、ゲート絶縁層2と同層の第1誘電体層2aを介在させる。また、画素トランジスター30のチャネル領域1gと平面的に重ならない領域において、第1保持容量電極1fの下面に第2誘電体層15を介して第3保持容量電極4aを対向させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1基板と、
該第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、
前記第1基板の前記第2基板と対向する面に設けられた画素トランジスターと、
前記画素トランジスターに電気的に接続する画素電極と、
前記画素トランジスターを構成する半導体膜と同層の第1保持容量電極と、
前記画素トランジスターのゲート電極と同層の導電膜からなるとともに、前記画素トランジスターのゲート絶縁層と同層の第1誘電体層を介して、前記第1保持容量電極の前記第2基板側の面に対向する第2保持容量電極と、
前記画素トランジスターのチャネル領域と平面的に重ならない領域において、第2誘電体層を介して、前記第1保持容量電極の前記第2基板側とは反対側の面に対向する第3保持容量電極と、
を有することを特徴とする液晶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
2H092GA29
, 2H092GA59
, 2H092JA23
, 2H092JA25
, 2H092JA36
, 2H092JA46
, 2H092JB07
, 2H092JB66
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092KA22
, 2H092KB04
, 2H092KB11
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA13
, 2H092MA25
, 2H092MA27
, 2H092MA29
, 2H092MA30
, 2H092NA25
