特許
J-GLOBAL ID:201003000409497221

転写可能な半導体構造、デバイス、及びデバイスコンポーネントを作成するための剥離方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山田 行一 ,  野田 雅一 ,  池田 成人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-529401
公開番号(公開出願番号):特表2010-504649
出願日: 2007年09月20日
公開日(公表日): 2010年02月12日
要約:
複数の機能層と複数の剥離層とを有する多層構造を提供し、一以上の剥離層を分離することによって機能層を多層構造から剥離して、複数の転写可能な構造を生成することによって、デバイス又はデバイスコンポーネントを作成する方法を提供する。転写可能な構造は、デバイス基板又はデバイス基板に支持されたデバイスコンポーネント上に印刷される。この方法及びシステムは、高品質及び低コストの光起電力デバイス、転写可能な半導体構造、(光)電子デバイス及びデバイスコンポーネントを作成する手段を提供する。【選択図】 図2B
請求項(抜粋):
デバイス又はデバイスコンポーネントを作成する方法であって、 複数の機能層と複数の剥離層とを含む多層構造を供給する工程であって、前記剥離層の少なくとも一部が前記多層構造中で機能層間に設けられている、該工程と、 一以上の前記剥離層又は当該剥離層の一部を一以上の前記機能層から分離することによって、前記機能層の少なくとも一部を前記多層構造から剥離し、複数の転写可能な構造を生成する工程と、 一以上の前記転写可能な構造をデバイス基板又はデバイス基板によって支持されたデバイスコンポーネント上に印刷し、前記デバイス又は前記デバイスコンポーネントを作成する工程と、 を含む方法。
IPC (6件):
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件):
H01L27/12 G ,  H01L27/12 B ,  H01L29/80 B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 627D
Fターム (22件):
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM06 ,  5F110AA16 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110HK04 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ24
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特許第7033961号
  • 特許第6316283号

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