特許

J-GLOBAL ID：201003000615030577

ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置

発明者： 板垣 奈穂 ,  岩崎 達哉 ,  星野 勝之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 桂田 健志 ,  白洲 一新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-213725
公開番号（公開出願番号）：特開2010-114423
出願日： 2009年09月15日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】格子定数が広範囲にわたり可変であり、且つ結晶性に優れた基板およびその製造方法を提供する。また上記基板上に形成された半導体素子を提供する。【解決手段】6回対称軸をを有する結晶からなる第1の層11と、該結晶上に形成される金属酸窒化物結晶からなる第2の層12を有し、第2の層12が、In、Ga、Si、Ge及びAlからなる群から選択される少なくとも1つの元素と、NとOとZnとを主要元素として含み、且つ第2の層12が面内配向性を有する積層構造体を備えたウルツ鉱型結晶成長用基板。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

6回対称軸を有する結晶からなる第1の層と該第1の層の上に形成される金属酸窒化物結晶からなる第2の層を有し、 前記第2の層が、In、Ga、Si、Ge及びAlからなる群から選択される少なくとも1つの元素と、NとOとZnとを主要元素として含み、且つ前記第2の層が面内配向性を有する積層構造体を備えることを特徴とするウルツ鉱型結晶成長用基板。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/32 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/203 ,  C30B 29/38

FI (5件)：

H01L21/20 ,  H01L33/00 186 ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/203 S ,  C30B29/38 Z

Fターム (46件)：

4G077AA02 ,  4G077AB08 ,  4G077BE19 ,  4G077DA11 ,  4G077EC07 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077EH01 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL01 ,  5F103LL04 ,  5F103NN02 ,  5F103RR06 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL08 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152MM02 ,  5F152MM03 ,  5F152MM08 ,  5F152MM10 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05