半導体装置の製造方法、半導体封止用接着剤及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長谷川芳樹 , 清水義憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-127953
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010669
出願日： 2009年05月27日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】 300°C以上の高温で半導体チップと基板又は半導体チップ間を半導体封止用接着剤を介して接続する場合のボイドの発生を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】バンプ又は金属配線を有する半導体チップとバンプ又は金属配線を有する基板とを、半導体封止用接着剤を介して300°C以上の温度で接続するとともに、上記半導体チップと上記基板との間の空隙を上記半導体封止用接着剤で封止充てんする工程を有しており、上記半導体封止用接着剤として、(a)熱重量減少量が350°Cで50%以下であるエポキシ樹脂と、(b)熱重量減少量が350°Cで50%以下である硬化剤と、を含有する半導体封止用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

バンプ又は金属配線を有する半導体チップとバンプ又は金属配線を有する基板とを半導体封止用接着剤を介して300°C以上の温度で接続するとともに、前記半導体チップと前記基板との間の空隙を前記半導体封止用接着剤で封止充てんする工程を有しており、前記半導体封止用接着剤として、(a)熱重量減少量が350°Cで50%以下であるエポキシ樹脂と、(b)熱重量減少量が350°Cで50%以下である硬化剤と、を含有する半導体封止用接着剤を用いる、半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/60 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 21/56 , C08G 59/18 , C08L 63/00 , C08L 101/12

FI (6件)：

H01L21/60 311S , H01L23/30 R , H01L21/56 E , C08G59/18 , C08L63/00 A , C08L101/12

Fターム (58件)：

4J002BB02X , 4J002BE06X , 4J002BG00X , 4J002BG04X , 4J002CC03X , 4J002CD00X , 4J002CD03W , 4J002CD04W , 4J002CD05W , 4J002CD06W , 4J002CF00X , 4J002CH08X , 4J002CK02X , 4J002CL00X , 4J002CM04X , 4J002CM05X , 4J002CN03X , 4J002EF126 , 4J002EL136 , 4J002ET006 , 4J002FD010 , 4J002FD150 , 4J002FD156 , 4J002GJ01 , 4J002GJ02 , 4J002GQ00 , 4J036AA01 , 4J036AD08 , 4J036AE05 , 4J036AF06 , 4J036AJ09 , 4J036DA01 , 4J036DA02 , 4J036DB17 , 4J036DB21 , 4J036DB22 , 4J036DC31 , 4J036FA04 , 4J036FB03 , 4J036FB12 , 4J036FB14 , 4J036JA07 , 4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA10 , 4M109CA26 , 4M109DB16 , 4M109EA02 , 4M109EB02 , 4M109ED10 , 5F044KK01 , 5F044LL07 , 5F044LL11 , 5F044RR17 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA10 , 5F061CA26

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