特許
J-GLOBAL ID:201003001203237424

薄膜素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-116309
公開番号(公開出願番号):特開2010-062526
出願日: 2009年05月13日
公開日(公表日): 2010年03月18日
要約:
【課題】犠牲層から剥離した面に残った残留物を除去するための工程を省略することのできる薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の薄膜素子の製造方法は、犠牲層22と薄膜24を順次に形成した基板21を準備し、回転する転写ロール25の下側で基板21から薄膜24を分離するようにレーザーを照射しながら犠牲層22を除去して薄膜24を転写ロール25の周面に仮付けし、次に転写ロール25の上側では、接合物質層27が塗布されたシート26の表面に、薄膜24が接合するようにシート26を走行させて薄膜24をシート26上に転写することを特徴とする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
犠牲層と被転写薄膜とが順次に形成された基板を設ける段階と、 回転する転写ロールの第1位置において、前記基板から前記被転写薄膜を分離するように前記犠牲層を除去しながら前記被転写薄膜を前記転写ロールの周面に仮付けする段階と、 回転する前記転写ロールの第2位置において、前記転写ロールの周面に仮付けされた前記被転写薄膜上にシートの表面を接合するように前記シートを走行させることによって、前記被転写薄膜を前記シート上に転写する段階と を含むことを特徴とする薄膜素子の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (1件):
H01L27/12 B
引用特許:
審査官引用 (9件)
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