特許

J-GLOBAL ID：201003001405396079

光電変換半導体層とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池

発明者： 佐藤 忠伸 ,  菊池 信
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-232122
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251694
出願日： 2009年10月06日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】厚み方向のポテンシャルを変化させることが可能であり、真空成膜よりも低コストに製造することができ、高光電変換効率を得ることが可能な光電変換半導体層を提供する。【解決手段】光電変換半導体層30Xは、光吸収により電流を発生するものであり、複数の粒子31が面方向及び厚み方向に配列した粒子層により構成されている。光電変換半導体層30Xは、複数の粒子31としてバンドギャップの異なる複数種類の粒子を含み、厚み方向のポテンシャルが分布を有していることが好ましい。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

光吸収により電流を発生する光電変換半導体層において、 複数の粒子が面方向及び厚み方向に配列した粒子層からなることを特徴とする光電変換半導体層。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (24件)：

5F051AA10 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051DA12 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051GA05 ,  5F051GA06 ,  5F051GA20 ,  5F151AA10 ,  5F151CB13 ,  5F151CB24 ,  5F151DA12 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA17 ,  5F151GA05 ,  5F151GA06 ,  5F151GA20